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Toshiba anuncia la creación de nuevos chips DDR NAND de 32nm y 133 Mbps

Aunque no tienen la eficiencia y capacidad de las fabricadas en 25nm, y no llegan a los 400 Mbps que habían planeado, las nuevas memorias DDR NAND de 32 nm y 133 Mbps que ha presentado Toshiba suponen otro empujón más en el avance tecnológico. Estos nuevos chips llegan para competir directamente con la solución de 30nm que Samsung ha utilizado en sus discos SSD de 512 GB y que también podemos ver en el RealSSD C300 de Crucial. De momento no se sabe nada del lanzamiento de estos nuevos chips que alimentarán a los futuros iPods, y mucho menos de su precio, así que no nos queda otra que seguir repasando el panorama tecnológico actual para calmar la espera.
 
Via Engadget 

Toshiba prepara memorias flash por debajo de los 25nm

Seguro que alguna vez te has preguntado porqué justo cuando te compras una flamante microSDHC de 16 GB aparece en el mercado una nueva de 32GB que hace que la tuya parezca una miseria. Pues todo está relacionado con la densidad dentro de los chips, y con tecnologías que van reduciendo el espacio necesario para un circuito de un mes para otro, no resulta descabellado preveer tarjetas de 128GB, 256GB y 1TB más pequeñas que tu dedo pulgar en sólo unos años.

Para acelerar el proceso aún un poco más, Toshiba está dispuesta a invertir 160 millones de dólares en una línea de producción para probar la próxima generación de memorias flash, presumiblemente con circuitos de menos de 25nm. Por ahora, Toshiba produce memorias NAND de 32nm y 43nm de ancho, pero reducir ese número a 20nm o menos permitiría montar una cantidad de memoria mucho mayor en las mismas tarjetas que usamos hoy día. Si todo avanza según el plan, los chips por debajo de 25nm podrían llegar en una fecha tan cercana como 2012, de manera que próximamente podremos reservar nuestra SDXC de 10TB en la tienda de electrónica de confianza.

 
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