Para acelerar el proceso aún un poco más, Toshiba está dispuesta a invertir 160 millones de dólares en una línea de producción para probar la próxima generación de memorias flash, presumiblemente con circuitos de menos de 25nm. Por ahora, Toshiba produce memorias NAND de 32nm y 43nm de ancho, pero reducir ese número a 20nm o menos permitiría montar una cantidad de memoria mucho mayor en las mismas tarjetas que usamos hoy día. Si todo avanza según el plan, los chips por debajo de 25nm podrían llegar en una fecha tan cercana como 2012, de manera que próximamente podremos reservar nuestra SDXC de 10TB en la tienda de electrónica de confianza.
Toshiba prepara memorias flash por debajo de los 25nm
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